Samsung RAM M391B1G73QH0-YK0 1x8GB DDR3 1600Mhz

Você precisa do especialista certo para a solução certa de memória para PC.
A Samsung é líder no mercado de DRAM, com nossa DRAM sendo selecionada pela maioria dos OEMs por muitos anos.
Adote a tecnologia de ponta Samsung DDR4 para levar seu PC a uma nova dimensão de desempenho de alta velocidade e baixo consumo de energia.

Largura de banda aprimorada para aplicativos de ponta.
Com os aplicativos de PC se tornando mais críticos e complexos, a computação pessoal definiu suas demandas mais difíceis. Os PCs de hoje precisam fornecer velocidade excepcional para fornecer o desempenho necessário.

Samsung 2xnm DDR4 UDIMM e SODIMM permitem largura de banda inicial de 2.400 Mbps, que pode atingir até os 3.200 Mbps definidos pelo JEDEC. DDR4 tem largura de banda 2 vezes maior do que DDR3.

Multitarefa completa com menos energia.
Os consumidores desejam poder contar com a excelente energia da bateria para concluir suas tarefas. A DRAM para PC da Samsung oferece mais tempo desconectado por meio de menor consumo de energia. Isso permite maior vida útil da bateria para notebooks, mantendo o alto desempenho.

Samsung DDR4 SODIMM e UDIMM consomem menos energia com sua tecnologia 2xnm exclusiva. O 2xnm DDR4 da Samsung operando a 1,2 V atinge aproximadamente 26% mais desempenho / watt em comparação com o 2xnm DDR3 operando a 1,5 V.

A Samsung também oferece 2xnm LPDDR4 operando a 1,1 V, alcançando um aumento de 37% na eficiência de energia do que 2xnm LPDDR3 operando a 1,2 V.

Duplique a sua capacidade com os primeiros chips de 8 Gb do mundo.
O avanço na densidade permitiu à Samsung oferecer DRAM de maior capacidade, proporcionando a velocidade de transmissão de dados mais rápida que os dispositivos exigem hoje. Os PCs podem se beneficiar da DRAM de alta densidade usando menos componentes DRAM, o que leva à economia de espaço.

O UDIMM Samsung DDR4 pode atingir a capacidade máxima de 128 GB usando os primeiros chips de 8 Gb do mundo, que é 2 vezes maior do que os 64 GB DDR3 feitos de chips de 4 Gb.


Especificações:

Tipo de memória com buffer: não registrada (sem buffer)
Latência CAS: 11
Memória interna: 8 GB
Layout da memória (módulos x tamanho): 1 x 8 GB
Tipo de memória interna: DDR3
Velocidade do clock da memória: 1600 MHz
Componente para: PC / servidor
Fator de forma da memória: DIMM de 240 pinos
ECC: Sim
Tensão da memória: 1,35 V

Características:
Configuração do módulo: 1024M x 72
Tempo de ciclo da linha: 11 ns
Tempo do ciclo de atualização da linha: 11 ns

Condições operacionais:
Temperatura de operação (TT): 0 85 ° C

Detalhes técnicos:
Certificados de sustentabilidade: RoHS
Não contém: Halogênio

Peso e dimensões:
Largura: 133,3 mm
Profundidade: 4 mm
Altura: 30 mm

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