Samsung M391B1G73QH0-YK0 1x8GB DDR3 1600Mhz ラム

適切なPCメモリソリューションには、適切な専門家が必要です。
サムスンはDRAM市場のリーダーであり、当社のDRAMは長年にわたってほとんどのOEMに選ばれています。
最先端のSamsungDDR4を採用して、PCを高速かつ低エネルギーのパフォーマンスという新しい次元に引き上げましょう。

ハイエンドアプリケーションの帯域幅が改善されました。
PCアプリケーションがより重要で複雑になるにつれ、パーソナルコンピューティングはこれまでで最も厳しい要求を設定しました。今日のPCは、必要なパフォーマンスを実現するために並外れた速度を提供する必要があります。

Samsung 2xnm DDR4 UDIMMおよびSODIMMは、2,400 Mbpsの初期帯域幅を可能にし、JEDECで定義された3,200Mbpsまで達成できます。 DDR4の帯域幅はDDR3の2倍です。

より少ないエネルギーでマルチタスクを完了します。
消費者は、タスクを完了するために優れたバッテリー電力に依存できることを望んでいます。 Samsung PC DRAMは、消費電力が少ないため、プラグを抜く時間が長くなります。これにより、高性能を維持しながら、ノートブックのバッテリー寿命を延ばすことができます。

Samsung DDR4 SODIMMおよびUDIMMは、独自の2xnmテクノロジーにより消費電力が少なくなっています。 1.2Vで動作するSamsungの2xnmDDR4は、1.5Vで動作する2xnm DDR3と比較して約26％高いパフォーマンス/ワットを実現します。

サムスンはまた、1.1Vで動作する2xnm LPDDR4を提供し、1.2Vで動作する2xnm LPDDR3よりも電力効率を37％向上させます。

世界初の8Gbチップで容量を2倍にします。
密度の進歩により、Samsungはより大容量のDRAMを提供できるようになり、デバイスが今日必要とするより高速なデータ伝送速度を実現しています。 PCは、使用するDRAMコンポーネントの数を減らすことで高密度DRAMの恩恵を受けることができ、スペースの節約につながります。

サムスンDDR4UDIMMは、世界初の8Gbチップを使用して最大容量128GBを達成できます。これは、4Gbチップで作られたDDR3の64GBの2倍です。


仕様：

バッファメモリタイプ：未登録（バッファなし）
CASレイテンシ：11
内部メモリ：8 GB
メモリレイアウト（モジュールxサイズ）：1 x 8 GB
内部メモリタイプ：DDR3
メモリクロック速度：1600 MHz
コンポーネント：PC /サーバー
メモリフォームファクタ：240ピンDIMM
ECC：はい
メモリ電圧：1.35 V

特徴：
モジュール構成：1024M x 72
行サイクル時間：11 ns
行の更新サイクル時間：11 ns

動作条件：
作動温度（TT）：0 85°C

技術的な詳細：
持続可能性証明書：RoHS
含まれていない：ハロゲン

重量と寸法：
幅：133.3 mm
奥行き：4mm
高さ：30 mm

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