Kingston HX318C10FWK2 1x8GB DDR3 1866Mhz RAM Memory

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상품 정보 Kingston HX318C10FWK2 1x8GB DDR3 1866Mhz RAM Memory

HyperX HX318C10FWK2 / 16은 모듈 당 16 개의 512M x 8 비트 DDR3 FBGA 구성 요소를 기반으로하는 2 개의 1G x 64 비트 (8GB) DDR3 1866 CL10 SDRAM (Synchronous DRAM) 2Rx8 메모리 모듈 키트입니다. 총 키트 용량은 16GB입니다. 각 모듈 키트는 1.53에서 10 11 10의 낮은 지연 시간으로 DDR3 1866에서 실행되도록 테스트되었습니다. 추가 타이밍 파라미터는 아래의 PnP 타이밍 파라미터 섹션에 나와 있습니다.
풍모:
JEDEC 표준 1.5V (1.425V ~ 1.575V) 전원 공급 장치
VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
1866Mb / sec / pin 용 933MHz fCK
8 개의 독립적 인 내부 은행
프로그래밍 가능한 CAS 대기 시간 : 13, 11, 10, 9, 8, 7, 6
프로그래밍 가능한 추가 지연 시간 : 0, CL 2 또는 CL 1 클록
8 비트 프리 페치
버스트 길이 : 8 (무제한 인터리브, 시작 주소가 "000"인 순차에만 해당), tCCD = 4 인 경우 4-끊김없는 읽기 또는 쓰기를 허용하지 않음 [A12 또는 MRS를 사용하여 즉시 사용 가능]
양방향 차동 데이터 스트로브
내부 (자체) 교정 : ZQ 핀을 통한 내부 자체 교정 (RZQ : 240 ohm ± 1 %)
ODT 핀을 사용한 온 다이 터미네이션
TCASE 85 ° C보다 낮은 경우 평균 재생 시간 7.8us, 85 ° C에서 3.9us <TCASE <95 ° C
비동기식 리셋
높이 1.291”(32.80mm), 방열판 포함, 양면 부품
명세서:
CL (IDD) : 10 사이클
행 사이클 시간 (tRCmin) : 44.75ns (분)
활성 / 새로 고침 새로 고침 : 260ns (최소)
행 활성 시간 (tRASmin) : 32.125ns (분)
최대 작동 전력 : TBD W (모듈 당)
UL 등급 : 94V 0
작용 온도 : 0oC to 85o C
보관 온도 : 55o C ~ + 100o C

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