Kingston CL 19 1x16GB DDR4 2666Mhz 램

Kingston의 KSM26SED8 / 16HD는 18 개의 1G x 8 비트 FBGA 구성 요소를 기반으로하는 2G x 72 비트 (16GB) DDR4 2666 CL19 SDRAM (동기식 DRAM), 패리티, 2Rx8, ECC, 메모리 모듈입니다. SPD는 1.2V에서 19 19 19의 JEDEC 표준 지연 DDR4 2666 타이밍으로 프로그래밍됩니다. 각 260 핀 SODIMM은 금색 접촉 핑거를 사용합니다.


풍모:

전원 공급 장치 : VDD = 1.2V
VDDQ = 1.2V
VPP = 2.5V
VDDSPD = 2.20V ~ 3.60V
기능 및 작동은 DDR4 SDRAM 데이터 시트를 준수합니다.
내부 은행 16 개
Bank Grouping이 적용되며 동일하거나 다른 뱅크 그룹 액세스에있는 뱅크에 대해 CAS 대 CAS 지연 (tCCD_L, tCCD_S)을 사용할 수 있습니다.
데이터 전송 속도 : PC4 2666, PC4 2400, PC4 2133, PC4 1866, PC4 1600
양방향 차동 데이터 스트로브
8 비트 프리 페치
즉석에서 버스트 길이 (BL) 스위치 BL8 또는 BC4 (Burst Chop)
ECC 오류 수정 및 감지 지원
온 다이 종단 (ODT)
SPD가 통합 된 온도 센서
이 제품은 RoHS 지침을 준수합니다.
DRAM 당 주소 지정 기능이 지원됩니다.
내부 Vref DQ 레벨 생성 가능
CRC 쓰기는 모든 속도 등급에서 지원됩니다.
CA 패리티 (명령 / 주소 패리티) 모드가 지원됩니다.
RoHS 준수 및 무 할로겐


명세서:

CL (IDD) : 19주기
행주기 시간 (tRCmin) : 45.75ns (min.)
활성으로 새로 고침 / 새로 고침 명령 시간 (tRFCmin) : 350ns (min.)
행 활성 시간 (tRASmin) : 32ns (분)
최대 작동 전력 : *
UL 등급 : 94V 0
작동 온도 : 0o C ~ + 85o C
보관 온도 : 55o C ~ + 100o C

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