Gigabyte GP-ASM2NE6500GTTD 500GB SSD

特徴：

ウェアレベリング、オーバープロビジョニングテクノロジー
TRIM＆SMARTをサポート
フルボディ銅ヒートスプレッダ

世界初のPCIe4.0x4コントローラー：
世界初のPCIe4.0x4コントローラー、Phison PS5016 E16コントローラー、28nm製造技術で製造。高度な製造プロセスにより、PS5016E16は最新の3DTLC NANDフラッシュを採用する際に、ECC処理に十分な計算能力を備えています。 PS5016 E16は、32個のCEターゲットを備えた8つのNANDチャネル、DDR4 DRAMキャッシング、およびPCIe4.0x4インターフェイスも備えています。機能に関しては、チップはNVMe 1.3プロトコル、LDPCエラー訂正、ウェアレベリング、オーバープロビジョニングテクノロジーをサポートし、SSDの信頼性と耐久性を向上させます。
PCIe 4.0x4、NVMe1.3インターフェース
DDR4DRAMキャッシュ
32CEの8CH
Phison第4世代LDPCおよびRAIDECC
Pyriteをサポートする
コントローラー用ヒートスプレッダー

高品質とパフォーマンスのために選択されたNANDフラッシュ：
TOSHIBA BiCS496レイヤー3DTLC（800MT / s）：Toshiba BiCS4 NANDフラッシュは、96レイヤーに増やすことで回路とアーキテクチャを最適化し、単位面積あたりのストレージスペースを増やします。 AORUS NVMe Gen 4SSDの800MT / sスループットは、優れたストレージパフォーマンスのためにPCIe3.0x4デバイスのスループットをはるかに上回っています。

Xtremeストレージのパフォーマンス：
新しいPCIe4.0コントローラーにより、AORUS NVMe Gen 4 SSDは、最大5,000 MB / sのシーケンシャル読み取りと最大2,500MB / sのシーケンシャル書き込みという驚異的な速度を実現します。 PCIe 4.0 SSDのシーケンシャル読み取りパフォーマンスは、PCIe 3.0 SSDよりも最大40％高速です。より高速でスムーズなゲーム、ストリーミング、グラフィックスを多用するレンダリングで、次世代のコンピューティングに参入する準備をしてください。

卓越したPCIe4.0 SSDパフォーマンスのためのフルボディ銅熱ソリューション：
フルボディ銅ヒートシンクは、デバイスの前面と背面の両方にある主要コンポーネント、コントローラー、およびNANDフラッシュからの熱伝達を考慮に入れています。フル銅製ヒートシンクは、アルミニウム製ヒートシンクと比較して69％高い熱伝達能力を備えているため、AORUS NVMe Gen4SSDは読み取り/書き込みパフォーマンスに最適な熱放散を実現します。

効率的な銅ヒートスプレッダの設計：
メッキされたM.2ヒートスプレッダと比較して、27個のフィンを備えた新しい効率的な銅製ヒートスプレッダは表面積を増やし、熱源からの熱伝達を改善して熱バランスをより早く得ます。さらに、最適化されたフィンアレイ設計は、あらゆる方向の空気の流れと優れた熱交換を行います。どちらの独自の設計も、PCIe 4.0 SSDの主要コンポーネントが、超高転送速度で適切な動作温度を維持できるようにします。

SSDを低温に保つことがなぜそれほど重要なのですか？
作動温度が高くなると、データが失われる可能性があります。データ損失の劣化係数は100倍高くなる可能性があります。
フルボディの銅製ヒートスプレッダを使用すると、AORUS NVMe Gen 4 SSDはより低い動作温度で動作して、データストレージの信頼性を向上させることができます。さらに、SSDは長期間にわたって極端なパフォーマンスを提供できます。

SSDツールボックス：
新しく更新されたSSDツールボックスは、SSDステータスの概要と、モデル名、FWバージョン、健康状態、センサー温度などのさまざまな側面をユーザーに提供するソフトウェアです。さらに、ユーザーはセキュア消去機能を使用してすべてのデータをクリアできます。リンクからSSDツールボックスをダウンロードできます。
システム構成のテスト：構成はモデルによって異なる場合があります。検証には最新のプラットフォームを選択します。
パフォーマンスは、SSDのファームウェアバージョンとシステムハードウェアおよび構成によって異なる場合があります。 CrystalDiskMarkv.5.1.2およびI0meter1.1.0に基づく順次パフォーマンス測定。
内部テストに基づく速度。実際のパフォーマンスは異なる場合があります。
TBW（Terabyte Written）：Terabytes Written´´は、SSDが失敗する前にSSDに書き込むことができるデータの合計量です。
1GB = 10億バイト。実際の使用可能容量は異なる場合があります。


仕様：

フォームファクター：M.2 2280
インターフェース：PCI Express 4.0 x4、NVMe 1.3
総容量：500GB *
シーケンシャル読み取り速度：最大5000MB /秒**
シーケンシャル書き込み速度：最大2500MB /秒**
NAND：3DTLC東芝BiCS4
外部DDRキャッシュ：DDR4 512MB
ランダム読み取りIOPS：最大400k
ランダム書き込みIOPS：最大550k
寸法：80.5 x 11.4 x 23.5 mm
平均故障間隔（MTBF）; 177万時間
消費電力（アクティブ）：平均：R：5.9W; W：4.5W
消費電力（アイドル）：13.21mW
温度（動作時）：0°C〜70°C
温度（保管）：40°Cから85°C

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