Gigabyte GP-AG70S1TB 1TB SSD

特徴：

ウェアレベリング、オーバープロビジョニングテクノロジー
TRIM＆SMARTをサポート
AES256がサポートされています
ナノカーボンコーティングを施した高効率ヒートスプレッダ
システム構成のテスト：構成はモデルによって異なる場合があります。検証には最新のプラットフォームを選択します。
パフォーマンスは、SSDのファームウェアバージョンとシステムハードウェアおよび構成によって異なる場合があります。 CrystalDiskMarkv.5.1.2およびI0meter1.1.0に基づく順次パフォーマンス測定。
内部テストに基づく速度。実際のパフォーマンスは異なる場合があります。
TBW（Terabyte Written）：Terabytes Written´´は、SSDに障害が発生する前に書き込むことができるデータの合計量です。
1GB = 10億バイト。実際の使用可能容量は異なる場合があります。

第2世代PCIe4.0x4コントローラー：
第2世代PCIe4.0コントローラーPS5018E18は、3D TLCNANDフラッシュで最大7GB /秒のシーケンシャル読み取り/書き込みを提供します。 E18コントローラーは、十分な計算能力を保証する高度な12nmプロセスで構築されています。また、32CE、DDR4 SLCキャッシングを備えた最大8つのNANDフラッシュチャネルをサポートし、NVMe1.4に適合します。
PCIe 4.0x4、NVMe1.4インターフェース
DDR4DRAMキャッシュ
32CEの8CH
Phison第4世代LDPCおよびRAIDECC
AES256暗号化をサポート
サーマルスロットルプロテクション

高品質とパフォーマンスのために選択されたNANDフラッシュ：
選択された高速3DTLC NANDフラッシュ（1200MT / s）：3D TLC NANDフラッシュ（96L）は1200MT / sで動作します。これは、パフォーマンスの向上につながる予測バージョンよりも50％多くなっています。

Xtremeストレージのパフォーマンス：
第2世代のPCIe4.0コントローラーE18により、AORUS Gen4 7000s SSDは、最大7,000 MB / sのシーケンシャル読み取り、最大6,850MB / sのシーケンシャル書き込みという驚異的な速度を実現します。 PCIe 4.0 SSDのシーケンシャル読み取りパフォーマンスは、PCIe 3.0SSDよりも最大2倍高速です。より高速でスムーズなゲーム、ストリーミング、グラフィックスを多用するレンダリングで、次世代のコンピューティングに参入する準備をしてください。

20％クーラー用にナノカーボンコーティングを施した最適化されたアルミニウムヒートスプレッダ：
高度な熱技術ナノカーボンコーティングにより、放熱のための表面積を最大化するためのパッシブ冷却に挑戦しました。両面高伝導サーマルパッドを適用することで、ヒートシンクへの熱伝達を確実にします。高さ7mmのヒートシンクは、グラフィックカードの下にあるものを含むすべてのM.2スロットと互換性があります。

効率的なヒートスプレッダの設計：
通常のヒートスプレッダと比較して、新しい高効率ヒートスプレッダは熱放散を改善し、高速での走行時間を46％延長します。さらに、ヒートシンクのないものと比較して、AORUS 7000s Gen4SSDは7GB /秒で5倍長く動作します。よりスムーズでアップグレードされたストレージパフォーマンスをお楽しみください。

SSDを低温に保つことがなぜそれほど重要なのですか？
作動温度が高くなると、データが失われる可能性があります。データ損失の劣化係数は100倍高くなる可能性があります。ヒートスプレッダを使用すると、AORUS Gen4 7000s SSDはより低い動作温度で動作して、データストレージの信頼性を向上させることができます。さらに、SSDは非常に長いパフォーマンスで実行できます。

SSDツールボックス：
新しく更新されたSSDツールボックスは、SSDステータスの概要と、モデル名、FWバージョン、健康状態、センサー温度などのさまざまな側面をユーザーに提供するソフトウェアです。さらに、ユーザーはセキュア消去機能を使用してすべてのデータをクリアできます。リンクからSSDツールボックスをダウンロードできます。


仕様：

フォームファクター：M.2 2280
インターフェース：PCI Express 4.0 x4、NVMe 1.4
総容量：1000GB *
シーケンシャル読み取り速度：最大7000MB /秒**
シーケンシャル書き込み速度：最大6850MB /秒**
NAND：3D TLCNANDフラッシュ
外部DDRキャッシュ：DDR4 2GB
ランダム読み取りIOPS：最大650k
ランダム書き込みIOPS：最大700k
寸法：80.5 x 11.4 x 23.5 mm
平均故障間隔（MTBF）：160万時間
消費電力（アクティブ）：平均：R：7.6W、W：8.4W
消費電力（アイドル）：<30mW
温度（動作時）：0°C〜70°C
温度（保管）：40°Cから85°C

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